文/AIM俐鉅創(chuàng)新總經(jīng)理兼首席創(chuàng)新官 詹長霖

半導(dǎo)體芯片代工世界第一名的臺積電TSMC公司5月26日公開表示將成為業(yè)界首家通過7納米制程技術(shù)認證的廠商，速度快過對手英特爾與三星。這也是幾十年來第一次臺積電技術(shù)超越半導(dǎo)體霸主英特爾，在臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具有劃時代的意義。

那為什么臺積電經(jīng)過多年的奮斗終于能超越英特爾？靠的就是明確的技術(shù)地圖來引導(dǎo)研發(fā)創(chuàng)新方向及最佳資源運用。再加上二年前組建500位研發(fā)的〝夜鷹部隊〞投入，終于超車成功，成為全球第一。這7納米先進制程技術(shù)可不是砸錢找人做研發(fā)就能成功，這是必須掌握整個技術(shù)發(fā)展的基本功，了解技術(shù)發(fā)展路線圖上的關(guān)鍵細節(jié)，研發(fā)團隊分工合作不斷的克服技術(shù)難關(guān)。

還記得去年iPhone 6S A9處理器電池續(xù)航力大戰(zhàn)，三星A9處理器不但在效能與電池續(xù)航力輸給臺積電，媒體報導(dǎo)三星電子在網(wǎng)羅臺積電前研發(fā)大將及其部屬下，關(guān)鍵制程技術(shù)源自于臺積電并領(lǐng)先使用更先進的制程，但為何卻在實際使用的效能與良率輸給臺積電?

相較于臺積電的芯片制程是按部就班由28nm > 20nm Planner

> 16nm FinFET演進而來，三星則是由32nm>28nm Planner技術(shù)直接跳階到14nm FinFET技術(shù)。由于半導(dǎo)體FinFET技術(shù)與過去2D平面技術(shù)的經(jīng)驗不同，F(xiàn)inFET無論在制程、設(shè)計、IP與電子設(shè)計自動化(EDA)工具各方面都必須經(jīng)過克服眾多挑戰(zhàn)才能成熟。就結(jié)果論來看，三星似乎尚未能成熟駕馭FinFET這項新技術(shù)，尤其是良率與漏電控制上。兩家公司產(chǎn)品的效能的差異，以跑步來舉例，三星雖然速度優(yōu)于臺積電，但跑起來卻老是蛇行，最終還是輸給直行的臺積電。三星從28nm技術(shù)想彎道超車到14nm，卻沒留意到技術(shù)發(fā)展的細節(jié)，這個就是典型只知其一，不知其二的結(jié)果，不斷更新的完整技術(shù)地圖能盡量避免這種遺憾發(fā)生。

在合適的創(chuàng)新策略及組織設(shè)計之后，接下來是設(shè)計創(chuàng)新流程，也就是去建構(gòu)一套政策、程序與機制，以促進新組織的創(chuàng)新系統(tǒng)。有清楚的流程，才能管理從設(shè)計、衡量到獎勵創(chuàng)新的每個步驟，此時就需要技術(shù)地圖來導(dǎo)航。

技術(shù)地圖主要是架構(gòu)一條由現(xiàn)在到未來的產(chǎn)品與技術(shù)發(fā)展〝途徑〞，具備導(dǎo)航、執(zhí)行、說明、追蹤的功能，因此規(guī)劃上必須是動態(tài)的、能根據(jù)企業(yè)內(nèi)外部的環(huán)境變化進行調(diào)整修改。而將企業(yè)的市場策略、滿足目標(biāo)市場的產(chǎn)品、技術(shù)、研發(fā)計劃與相關(guān)資源整合在產(chǎn)品技術(shù)地圖中。此途徑將不同世代的產(chǎn)品由現(xiàn)在到未來做鏈接作業(yè)，使公司清楚了解及掌握未來幾年內(nèi)較有利與重要發(fā)展的產(chǎn)品與技術(shù)，領(lǐng)先競爭者進行產(chǎn)品與技術(shù)的布局，得以立于優(yōu)勢的競爭地位。在歐美則有飛利浦、英特爾、谷歌、西門子、博世、Rockwell、通用汽車…等具規(guī)模的公司引進運用；臺灣大型上市公司也陸續(xù)的導(dǎo)入技術(shù)地圖，臺積電就是一個典范代表。

以下列出技術(shù)地圖作業(yè)6大步驟，提供讀者參考：

1.定義主要運用領(lǐng)域

2.產(chǎn)品功能項目分析

3.產(chǎn)品功能屬性分析

4.技術(shù)變動歷程分析

5.完成技術(shù)地圖

6.認定關(guān)鍵技術(shù)缺口

企業(yè)可以藉由技術(shù)地圖與科技創(chuàng)新的組合，掌握技術(shù)發(fā)展的每一個關(guān)鍵細節(jié)，進而重新定義產(chǎn)業(yè)，進一步提升整體營運績效與企業(yè)競爭力。

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